Биполярный транзистор 2N1383GN - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1383GN
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N1382GN , 2N1382O , 2N1382R , 2N1382V , 2N1382Y , 2N1383 , 2N1383BL , 2N1383BN , 2N5551 , 2N1383O , 2N1383R , 2N1383V , 2N1383Y , 2N1384 , 2N1385 , 2N1386 , 2N1387 .