Биполярный транзистор 2N1386 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1386
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N1383BN , 2N1383GN , 2N1383O , 2N1383R , 2N1383V , 2N1383Y , 2N1384 , 2N1385 , D882 , 2N1387 , 2N1388 , 2N1389 , 2N138A , 2N138B , 2N139 , 2N1390 , 2N1391 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050