Биполярный транзистор 2SA624
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA624
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора:
TO220
Аналоги (замена) для 2SA624
2SA624
Datasheet (PDF)
9.1. Size:145K jmnic
2sa626.pdf 
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA626 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability:IC=-6A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
9.2. Size:145K jmnic
2sa627.pdf 
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA627 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability:IC=-7A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
9.3. Size:212K inchange semiconductor
2sa626.pdf 
isc Silicon PNP Power Transistors 2SA626DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -70V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier and low speed switchingSuitable f
9.4. Size:215K inchange semiconductor
2sa627.pdf 
isc Silicon PNP Power Transistors 2SA627DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier and low speed switchingSuitable f
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
