2SA671K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA671K

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SA671K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA671K даташит

 8.1. Size:116K  mospec
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671K

A A A

 8.2. Size:159K  jmnic
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671K

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA671 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1061 Low collector saturation voltage Note type 2SA670 with short pin APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified o

 8.3. Size:205K  inchange semiconductor
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671K

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA671 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max)@ I = -2.0A CE(SUS) C DC Current Gain h = 35-320@ I = -0.5A FE C Complement to Type 2SC1061 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA668, 2SA669, 2SA67, 2SA670, 2SA671, 2SA671A, 2SA671B, 2SA671C, D667, 2SA672, 2SA673, 2SA673A, 2SA673AK, 2SA675, 2SA677, 2SA678, 2SA679