2SA683 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA683  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA683

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA683 даташит

 ..1. Size:51K  panasonic
2sa683 2sa684.pdfpdf_icon

2SA683

Transistor 2SA683, 2SA684 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification and driver amplification Unit mm Complementary to 2SC1383 and 2SC1384 5.9 0.2 4.9 0.2 Features Complementary pair with 2SC1383 and 2SC1384. Allowing supply with the radial taping. 0.7 0.1 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 2.54 0.15 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to

 ..2. Size:47K  panasonic
2sa683 2sa684 .pdfpdf_icon

2SA683

Transistor 2SA683, 2SA684 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification and driver amplification Unit mm Complementary to 2SC1383 and 2SC1384 5.9 0.2 4.9 0.2 Features Complementary pair with 2SC1383 and 2SC1384. Allowing supply with the radial taping. 0.7 0.1 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 2.54 0.15 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to

 ..3. Size:275K  lzg
2sa683 3ca683.pdfpdf_icon

2SA683

2SA683(3CA683) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose AF power amplifier and driver. 2SC1383(3DA1383) /Features Complementary pair with 2SC1383(3DA1383). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -1.0 A C

 0.1. Size:396K  semtech
st2sa683 st2sa684.pdfpdf_icon

2SA683

ST 2SA683 / 2SA684 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for low frequency power amplification and driver amplification The transistor is subdivided into three group, Q, R and S according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package O Absolute Maximu

Другие транзисторы: 2SA675, 2SA677, 2SA678, 2SA679, 2SA68, 2SA680, 2SA681, 2SA682, 2N5401, 2SA684, 2SA685, 2SA69, 2SA695, 2SA696, 2SA697, 2SA698, 2SA699