2SA708A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA708A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SA708A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA708A даташит

 8.1. Size:86K  usha
 2sa708.pdf pdf_icon

2SA708A

Transistors 2SA708

 9.1. Size:29K  no
 2sa701.pdf pdf_icon

2SA708A

 9.2. Size:93K  usha
 2sa709.pdf pdf_icon

2SA708A

Transistors 2SA709

 9.3. Size:194K  inchange semiconductor
 2sa700.pdf pdf_icon

2SA708A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA700 DESCRIPTION High Collector Current -I = -1.5A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -35V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA703, 2SA704, 2SA706, 2SA706-2, 2SA706-3, 2SA706-4, 2SA707, 2SA708, 2SC2073, 2SA709, 2SA71, 2SA710, 2SA711, 2SA712, 2SA713, 2SA713A, 2SA713AS