Биполярный транзистор 2SA767 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA767
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO1
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SA767 Datasheet (PDF)
2sa769.pdf

2SA769 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1827ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Jun
2sa766.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA766 DESCRIPTION With TO-66 package High power dissipation Complement to type 2SC1450 APPLICATIONS Line-operated vertical deflection output Medium power amplifier PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=
2sa768.pdf

JMnic Product SpecificationSilicon PNP Power Transistors 2SA768 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1826 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applicattions PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER
2sa765.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA765 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS Desinged for general-purpose power amplifier and applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KRC241 | BLY91A | 2N5034 | PBSS5240X | 2SC2986Y | ST93003 | 2SB1260-Q
History: KRC241 | BLY91A | 2N5034 | PBSS5240X | 2SC2986Y | ST93003 | 2SB1260-Q



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320