Биполярный транзистор 2SA806 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA806
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 210 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 210 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: FTR
2SA806 Datasheet (PDF)
2sa808.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA808 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1619 APPLICATIONS For power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO
2sa807.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA807 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1618 APPLICATIONS For power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO
2sa808.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA808DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max.)@T =25C CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C
2sa807.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA807DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max.)@T =25C CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050