Справочник транзисторов. 2SA808

 

Биполярный транзистор 2SA808 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SA808
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SA808

 

 

2SA808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  jmnic
2sa808.pdf

2SA808
2SA808

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA808 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1619 APPLICATIONS For power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 ..2. Size:195K  inchange semiconductor
2sa808.pdf

2SA808
2SA808

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA808DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max.)@T =25C CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

 9.1. Size:211K  1
2sa806 2sa1558.pdf

2SA808
2SA808

 9.2. Size:146K  jmnic
2sa807.pdf

2SA808
2SA808

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA807 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1618 APPLICATIONS For power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 9.3. Size:195K  inchange semiconductor
2sa807.pdf

2SA808
2SA808

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA807DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max.)@T =25C CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top