2SA851. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA851

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA851

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA851 даташит

 9.1. Size:72K  rohm
 2sa854s.pdf pdf_icon

2SA851

2SA854S Transistors Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) 2SA854S External dimensions (Unit mm) Features 1) Large IC. ICMAX. = -500mA 2SA854S 2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation. 4 0.2 2 0.2 3) Complements the 2SC1741S. Structure 0.15 0.45+ 0.05 - Epitaxial planar type PNP silicon transistor 0.4 0.45+ 0.15 2.5+ 0.1 0.5 - 0.05 - 5

 9.2. Size:101K  rohm
 2sa1036k 2sa1577 2sa854s 2sa854 2sa1036k 2sa1577.pdf pdf_icon

2SA851

Transistors Medium Power Transistor (*32V, *0.5A) 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Large IC. ICMax. = *500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K / 2SC1741S / 2SC4097. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (96-86-B11) 204 Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FAbsolute maxim

Другие транзисторы: 2SA845A, 2SA845AH, 2SA845H, 2SA847A, 2SA848, 2SA849, 2SA85, 2SA850, 2SD313, 2SA852, 2SA853, 2SA854, 2SA854S, 2SA855, 2SA856, 2SA856A, 2SA857