Справочник транзисторов. 2SA854S

 

Биполярный транзистор 2SA854S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA854S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SC72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA854S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  rohm
 2sa854s.pdf pdf_icon

2SA854S

2SA854S Transistors Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) 2SA854S External dimensions (Unit : mm) Features 1) Large IC. ICMAX. = -500mA 2SA854S2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation. 4 0.2 2 0.23) Complements the 2SC1741S. Structure 0.150.45+ 0.05-Epitaxial planar type PNP silicon transistor 0.40.45+ 0.152.5+ 0.1 0.5 - 0.05 -5

 ..2. Size:101K  rohm
 2sa1036k 2sa1577 2sa854s 2sa854 2sa1036k 2sa1577.pdf pdf_icon

2SA854S

TransistorsMedium Power Transistor(*32V, *0.5A)2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854SFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Large IC.ICMax. = *500mA2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltageoperation.3) Complements the 2SC2411K /2SC1741S / 2SC4097.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(96-86-B11)204Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854SFAbsolute maxim

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RT2P18M | DTC123JEB | 2SC765 | NKT108 | KRC663U | 2SB443A | 2N5862

 

 
Back to Top

 


 
.