Биполярный транзистор 2SA856 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA856
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 450
Корпус транзистора: TO18
2SA856 Datasheet (PDF)
2sa854s.pdf
2SA854S Transistors Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) 2SA854S External dimensions (Unit : mm) Features 1) Large IC. ICMAX. = -500mA 2SA854S2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation. 4 0.2 2 0.23) Complements the 2SC1741S. Structure 0.150.45+ 0.05-Epitaxial planar type PNP silicon transistor 0.40.45+ 0.152.5+ 0.1 0.5 - 0.05 -5
2sa1036k 2sa1577 2sa854s 2sa854 2sa1036k 2sa1577.pdf
TransistorsMedium Power Transistor(*32V, *0.5A)2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854SFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Large IC.ICMax. = *500mA2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltageoperation.3) Complements the 2SC2411K /2SC1741S / 2SC4097.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(96-86-B11)204Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854SFAbsolute maxim
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050