Биполярный транзистор 2SA914 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA914
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO126
2SA914 Datasheet (PDF)
2sa914.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA914 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1953 Good linearity of hFE High VCEO APPLICATIONS For audio frequency power pre-amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CON
2sa914.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA914 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1953 Good linearity of hFE High VCEOAPPLICATIONS For audio frequency power pre-amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAM
2sa913 2sa913a.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA913 2SA913A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1913/1913A Large collector power dissipation High VCEO APPLICATIONS Audio frequency high power driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseFig.1 simplified outline (TO-220) and sy
2sa913.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA913DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC1913Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -1
2sa913 2sa913a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA913 2SA913A DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1913/1913A Large collector power dissipation High VCEO APPLICATIONS Audio frequency high power driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and s
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050