Биполярный транзистор 2SAB26N Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SAB26N
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 34
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам