2SB1015Y - описание и поиск аналогов

 

2SB1015Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1015Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB1015Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1015Y даташит

 7.1. Size:166K  toshiba
 2sb1015a.pdf pdf_icon

2SB1015Y

2SB1015A TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SB1015A Audio Frequency Power Amplifier Applications Unit mm Low collector saturation voltage VCE (sat) = -1.7 V (max) (I = -3 A, I = -0.3 A) C B Collector power dissipation P = 25 W (Tc = 25 C) C Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -60

 7.2. Size:148K  toshiba
 2sb1015.pdf pdf_icon

2SB1015Y

 7.3. Size:204K  jmnic
 2sb1015.pdf pdf_icon

2SB1015Y

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1015 DESCRIPTION With TO-220Fa package Collector power dissipation PC=25W@TC=25 Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1406 APPLICATIONS For audio frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 7.4. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb1015.pdf pdf_icon

2SB1015Y

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1015 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.7 V(Max)@I = -3A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1406 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1010, 2SB1011, 2SB1012, 2SB1012K, 2SB1013, 2SB1014, 2SB1015, 2SB1015O, 2N3055, 2SB1016, 2SB1016O, 2SB1016R, 2SB1016Y, 2SB1017, 2SB1017O, 2SB1017R, 2SB1017Y

 

 

 

 

↑ Back to Top
.