Биполярный транзистор 2SB1015Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1015Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220
2SB1015Y Datasheet (PDF)
2sb1015a.pdf
2SB1015A TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SB1015A Audio Frequency Power Amplifier Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE (sat) = -1.7 V (max) (I = -3 A, I = -0.3 A) C B Collector power dissipation: P = 25 W (Tc = 25C) CMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60
2sb1015.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1015 DESCRIPTION With TO-220Fa package Collector power dissipation :PC=25W@TC=25 Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1406 APPLICATIONS For audio frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25)
2sb1015.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1015DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.7 V(Max)@I = -3ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD1406Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
