2SB1031 - описание и поиск аналогов

 

2SB1031. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1031

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SB1031

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1031 даташит

 ..1. Size:451K  hitachi
2sb1031.pdfpdf_icon

2SB1031

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
2sb1031.pdfpdf_icon

2SB1031

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1031 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = -8A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min) CEO(SUS) Complement to Type 2SD1435 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:41K  1
2sb1030a.pdfpdf_icon

2SB1031

Transistor 2SB1030, 2SB1030A Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SD1423 and 2SD1423A 4.0 0.2 Features Optimum for high-density mounting. Allowing supply with the radial taping. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit marking Collector to 2SB1030 30 VCBO V 1 2 3 base voltage 2SB1030A 60 Co

 8.2. Size:42K  toshiba
2sb1034.pdfpdf_icon

2SB1031

Другие транзисторы: 2SB1025, 2SB1026, 2SB1027, 2SB1028, 2SB1029, 2SB103, 2SB1030, 2SB1030A, MJE340, 2SB1031K, 2SB1032, 2SB1032K, 2SB1033, 2SB1034, 2SB1035, 2SB1036, 2SB1037

 

 

 

 

↑ Back to Top
.