2SB1090 - описание и поиск аналогов

 

2SB1090. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1090

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB1090

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1090 даташит

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
2sb1090.pdfpdf_icon

2SB1090

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1090 DESCRIPTION High Collector Current I = -4A C Low Collector Saturation Voltage V = -1.5V(Max)@I = -3A CE(sat) C Complement to Type 2SD1568 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power supplies or a variety of drives in audio and other equipment. ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:125K  nec
2sb1093.pdfpdf_icon

2SB1090

 8.2. Size:120K  nec
2sb1094.pdfpdf_icon

2SB1090

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB1094 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) The 2SB1094 features ratings covering a wide range of applications and is ideal for power supplies or a variety of drives in audio and other equipment. VCEO -60 V, VEBO -7.0 V, IC(DC) -3.0 A Mold package that does not r

 8.3. Size:135K  nec
2sb1097.pdfpdf_icon

2SB1090

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB1097 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Mold package that does not require an insulating board or insulation bushing Large current capacity in small dimension IC(DC) = 7 A Low collector saturation voltage VCE(sat) = -0.5 V MAX. (@ -5 A)

Другие транзисторы: 2SB1085A, 2SB1086, 2SB1087, 2SB1088, 2SB1089, 2SB108A, 2SB108B, 2SB109, BC548, 2SB1091, 2SB1092, 2SB1093, 2SB1094, 2SB1095, 2SB1096, 2SB1097, 2SB1098

 

 

 

 

↑ Back to Top
.