Справочник транзисторов. 2SB1095

 

Биполярный транзистор 2SB1095 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1095
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB1095

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1095 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
2sb1095.pdfpdf_icon

2SB1095

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1095DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = -4ACLow Collector Saturation Voltage: V = -1.5V(Max)@I = -3ACE(sat) CComplement to Type 2SD1586Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power supplies or a variety of drives in audioand other equipment.ABSOLUTE MAXIM

 8.1. Size:125K  nec
2sb1093.pdfpdf_icon

2SB1095

 8.2. Size:120K  nec
2sb1094.pdfpdf_icon

2SB1095

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SB1094PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) The 2SB1094 features ratings covering a wide range ofapplications and is ideal for power supplies or a variety of drivesin audio and other equipment.:VCEO -60 V, VEBO -7.0 V, IC(DC) -3.0 A Mold package that does not r

 8.3. Size:135K  nec
2sb1097.pdfpdf_icon

2SB1095

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SB1097PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Mold package that does not require an insulating board orinsulation bushing Large current capacity in small dimension: IC(DC) = 7 A Low collector saturation voltage: VCE(sat) = -0.5 V MAX. (@ -5 A)

Другие транзисторы... 2SB108A , 2SB108B , 2SB109 , 2SB1090 , 2SB1091 , 2SB1092 , 2SB1093 , 2SB1094 , BC337 , 2SB1096 , 2SB1097 , 2SB1098 , 2SB1099 , 2SB109A , 2SB109B , 2SB110 , 2SB1100 .

 

 
Back to Top

 


 
.