Биполярный транзистор 2N1486 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1486
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO8
2N1486 Datasheet (PDF)
9.10. Size:52K microsemi
2n1487 2n1488 2n1489 2n1490.pdf
2n1487 2n1488 2n1489 2n1490.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/208 Devices Qualified Level 2N1487 2N1488 2N1489 2N1490 MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N1487 2N1488 Unit 2N1498 2N1490 Collector-Emitter Voltage 40 55 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 100 Vdc VCBO Collector-Emitter Voltage 60 100 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Base Current
Другие транзисторы... 2N1481 , 2N1482 , 2N1483 , 2N1483A , 2N1484 , 2N1484A , 2N1485 , 2N1485A , A940 , 2N1486A , 2N1487 , 2N1488 , 2N1489 , 2N148A , 2N149 , 2N1490 , 2N1491 .
