Справочник транзисторов. 2SB1124T

 

Биполярный транзистор 2SB1124T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB1124T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 39 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB1124T

 

 

2SB1124T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:108K  sanyo
2sb1124 2sd1624.pdf

2SB1124T
2SB1124T

Ordering number:ENN2019APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1124/2SD1624High Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,unit:mmelectrical equipment.2038A[2SB1124/2SD1624]Features4.51.51.6 Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast swi

 7.2. Size:122K  sanyo
2sb1124.pdf

2SB1124T
2SB1124T

 7.3. Size:357K  onsemi
2sb1124 2sd1624.pdf

2SB1124T
2SB1124T

Ordering number : EN2019B2SB1124/2SD1624Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Large current capacity and wide

 7.4. Size:862K  semtech
st2sb1124u.pdf

2SB1124T
2SB1124T

ST 2SB1124U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 3 A Collector Current (Pulse) -ICP 6 A 0.5 PC W Collector Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150 Storage Temperatu

 7.5. Size:1570K  kexin
2sb1124.pdf

2SB1124T
2SB1124T

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1124 Features1.70 0.1 Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. Fast switching speed. Complementary to 2SD16240.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector -

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top