Справочник транзисторов. 2SB1157

 

Биполярный транзистор 2SB1157 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1157
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB1157

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1157 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  jmnic
2sb1157.pdfpdf_icon

2SB1157

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1157 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1712 High fT Wide area of safe operation APPLICATIONS For high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-ba

 ..2. Size:128K  inchange semiconductor
2sb1157.pdfpdf_icon

2SB1157

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1157 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1712 High fT Wide area of safe operation APPLICATIONS For high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 8.1. Size:146K  nec
2sb1150.pdfpdf_icon

2SB1157

 8.2. Size:150K  nec
2sb1151.pdfpdf_icon

2SB1157

Другие транзисторы... 2SB115 , 2SB1150 , 2SB1151 , 2SB1152 , 2SB1153 , 2SB1154 , 2SB1155 , 2SB1156 , A1013 , 2SB1158 , 2SB1159 , 2SB116 , 2SB1160 , 2SB1161 , 2SB1162 , 2SB1163 , 2SB1164 .

History: 2SB1109D

 

 
Back to Top

 


 
.