Биполярный транзистор 2N1496 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1496
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO31
2N1496 Datasheet (PDF)
9.5. Size:52K microsemi
2n1487 2n1488 2n1489 2n1490.pdf
2n1487 2n1488 2n1489 2n1490.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/208 Devices Qualified Level 2N1487 2N1488 2N1489 2N1490 MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N1487 2N1488 Unit 2N1498 2N1490 Collector-Emitter Voltage 40 55 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 100 Vdc VCBO Collector-Emitter Voltage 60 100 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Base Current
Другие транзисторы... 2N1490 , 2N1491 , 2N1492 , 2N1493 , 2N1494 , 2N1494A , 2N1495 , 2N1495A , D882P , 2N1497 , 2N1499 , 2N1499A , 2N1499B , 2N149A , 2N150 , 2N1500 , 2N1500-18 .
