2SB1201R - описание и поиск аналогов

 

2SB1201R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1201R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SB1201R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1201R даташит

 7.1. Size:111K  sanyo
2sb1201 2sd1801.pdfpdf_icon

2SB1201R

Ordering number ENN2112B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1201/2SD1801 High-Current Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2045B [2SB1201/2SD1801] Features 6.5 2.3 5.0 Adoption of FBET, MBIT processes. 0.5 4 Large current capacity and wide ASO. Low colle

 7.2. Size:123K  sanyo
2sb1201.pdfpdf_icon

2SB1201R

 7.3. Size:388K  onsemi
2sb1201 2sd1801.pdfpdf_icon

2SB1201R

Ordering number EN2112C 2SB1201/2SD1801 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FA Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

 7.4. Size:305K  onsemi
2sb1201s-e 2sb1201s 2sb1201t-e 2sb1201t.pdfpdf_icon

2SB1201R

Ordering number EN2112C 2SB1201/2SD1801 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 2A, Low VCE sat , PNP NPN Single TP/TP-FA Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacitance and wide ASO Low collector-to-emitter saturation voltage Fast swit

Другие транзисторы: 2SB1196, 2SB1197, 2SB1198, 2SB1199, 2SB119A, 2SB12, 2SB120, 2SB1201, A1941, 2SB1201S, 2SB1201T, 2SB1201U, 2SB1202, 2SB1202R, 2SB1202S, 2SB1202T, 2SB1202U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.