2SB130 - описание и поиск аналогов

 

2SB130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB130

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB130 даташит

 0.1. Size:291K  sanyo
2sb1302.pdfpdf_icon

2SB130

Ordering number EN2555B 2SB1302 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB1302 High-Current Switching Applications Applications DC-DC converters, motor drivers, relay drivers, lamp drivers. Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity. Fast switching speed.

 0.2. Size:134K  nec
2sb1300.pdfpdf_icon

2SB130

 0.3. Size:37K  rohm
2sb1308.pdfpdf_icon

2SB130

2SB1308 Transistors Transistors 2SD1963 (94S-166-B204) (94S-342-D204) 290

 0.4. Size:47K  rohm
2sb1308 2sd1963.pdfpdf_icon

2SB130

2SB1308 Transistors Transistors 2SD1963 (94S-166-B204) (94S-342-D204) 290 Appendix Notes No technical content pages of this document may be reproduced in any form or transmitted by any means without prior permission of ROHM CO.,LTD. The contents described herein are subject to change without notice. The specifications for the product described in this document are for reference o

Другие транзисторы: 2SB1296S, 2SB1296T, 2SB1296U, 2SB1297, 2SB1298, 2SB1299, 2SB129A, 2SB13, 2N2222, 2SB1300, 2SB1301, 2SB1302, 2SB1302R, 2SB1302S, 2SB1302T, 2SB1303, 2SB1304

 

 

 

 

↑ Back to Top
.