Биполярный транзистор 2SB133 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB133
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO3
2SB133 Datasheet (PDF)
2sb1339.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1339DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h =1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifiers applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
2sb1334a.pdf
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1334A DESCRIPTION With TO-220 package Wide area of safe operation Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220)
2sb1335.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1335DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = -4ACLow Collector Saturation Voltage: V = -1.5V(Max)@I = -3ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD1855Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE
2sb1334.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1334DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = -4ACLow Collector Saturation Voltage: V = -1.5V(Max)@I = -3ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD1778Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050