All Transistors. KT819BM Datasheet

 

KT819BM Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: KT819BM

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 45 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 3 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

KT819BM Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

KT819BM Datasheet (PDF)

9.1. kt819a-b-v-g-am-bm-vm-gm 2t819a-b-v.pdf Size:1253K _russia

KT819BM



9.2. kt819.pdf Size:194K _integral

KT819BM
KT819BM

КТ819 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в ключевых и линейных сх

Datasheet: 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , BC547C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .

 

 
Back to Top