All Transistors. 3DD13003_H8D Datasheet

 

3DD13003_H8D Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD13003_H8D

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 600 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 1.8 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 5 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

Package: TO220AB

3DD13003_H8D Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

3DD13003_H8D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13003 to-126.pdf Size:205K _lge

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

3DD13003(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Symbol Parameter Value Units 1.500 VCBO Collector-Base Voltage 700 V 3.900 3.000 4.100 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 3.200 10.600 0.000 VEBO Emitter-Base Voltag

1.2. 3dd13003 to-220-3l.pdf Size:246K _lge

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 1.5

1.3. 3dd13003 u6d.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 U6D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 U6D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.8 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 35 W 终端结构和

1.4. 3dd13003 k6.pdf Size:152K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 K6 产品概述 特征参数 产品特点 符 号 额定值 单 位 3DD13003 K6 是硅NPN ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.8 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 结构和

1.5. 3dd13003 f6d.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 F6D 产品概述 特征参数 产品特点 符 号 额定值 单 位 3DD13003 F6D 是硅 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 50 W 终端结构和

1.6. 3dd13003 w6d.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 W6D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 W6D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 终端结构和少

1.7. 3dd13003 h8d.pdf Size:152K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 H8D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 H8D 是硅 ● 电流特性好 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率晶体管,该产品 ● 高温特性好 IC 1.8 A 采用平面工艺, 有源区采用 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 反覆盖结构

1.8. 3dd13003 w3d.pdf Size:148K _crhj

3DD13003_H8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 W3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 W3D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 35 W 终端结构

1.9. 3dd13003 j8d.pdf Size:155K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 J8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 J8D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 60 终端结构

1.10. 3dd13003 m8d.pdf Size:155K _crhj

3DD13003_H8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 M8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 M8D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 60 终端结构和

1.11. 3dd13003 j6d.pdf Size:151K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 J6D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 J6D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 50 终端结构

1.12. 3dd13003 h1d.pdf Size:181K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 H1D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 H1D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.8 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结构和

1.13. 3dd13003 s1d.pdf Size:183K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 S1D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 S1D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结

1.14. 3dd13003 f1d.pdf Size:182K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 F1D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 F1D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结构和

1.15. 3dd13003 x1.pdf Size:150K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 X1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 X1 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 50 结构和

1.16. 3dd13003 vud.pdf Size:139K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 VUD 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 VUD 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.5 W 终端结构和

1.17. 3dd13003 e6d.pdf Size:152K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 E6D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 E6D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.3 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 40 W 终端结构和

1.18. 3dd13003 sud.pdf Size:136K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 SUD 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 SUD 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.5 W 终端结构和

1.19. 3dd13003 m6d.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 M6D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 M6D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 终端结构和少

1.20. 3dd13003 v1d.pdf Size:180K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 V1D 3DD13003 V1D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结构和少子寿命控制 ● 可靠性高 技

1.21. 3dd13003 u3d.pdf Size:148K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 U3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13003 U3D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.8 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 30 W 终端结构

1.22. 3dd13003 f3d.pdf Size:150K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 F3D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 F3D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.5 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 30 W 终端结构和

1.23. 3dd13003 u1d.pdf Size:183K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 U1D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 3DD13003 U1D 是硅 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.8 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结构

1.24. 3dd13003 j7d.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 J7D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 J7D 是 硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 2 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 终端结构和

1.25. 3dd13003 k8.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 K8 产品概述 特征参数 产品特点 符 号 额定值 单 位 3DD13003 K8 是硅NPN ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.8 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 结构和

1.26. 3dd13003 h6d.pdf Size:153K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 H6D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 H6D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 1.8 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 50 W 终端结构和

1.27. 3dd13003 d.pdf Size:151K _crhj

3DD13003_H8D
3DD13003_H8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003 D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13003 D是 硅NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 结构和少

Datasheet: 3DD13002_B1-7 , 3DD13002_RUD , 3DD13003_E6D , 3DD13003_F1D , 3DD13003_F3D , 3DD13003_F6D , 3DD13003_H1D , 3DD13003_H6D , MJE13005 , 3DD13003_J6D , 3DD13003_J8D , 3DD13003_K6 , 3DD13003_K8 , 3DD13003_M6D , 3DD13003_M8D , 3DD13003_S1D , 3DD13003_SUD .

 


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