All Transistors. 3DD128A8D Datasheet

 

3DD128A8D Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD128A8D

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 350 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 4 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

Package: TO220AB

3DD128A8D Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD128A8D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd128a8d.pdf Size:154K _china

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 A8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 A8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺, 少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 制技术

4.1. 3dd128f_a7d.pdf Size:147K _crhj

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F A7D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F A7D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管,该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺,少 子 寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 制技术,

4.2. 3dd128_a8d.pdf Size:154K _crhj

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 A8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 A8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺, 少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 制技术

4.3. 3dd128f_h8d.pdf Size:155K _crhj

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 命控制技

4.4. 3dd128_y8d.pdf Size:155K _crhj

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 Y8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 Y8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 4 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 结构和

4.5. 3dd128f_h3d.pdf Size:148K _crhj

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 命控制技

4.6. 3dd128f.pdf Size:151K _crhj

3DD128A8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F 产品概述 特征参数 产品特点 3DD128F 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 功率开关晶体管, 该产品采 ● 高温特性好 IC 4 A 用平面工艺, 分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 构和少子寿

4.7. 3dd128f_h5d.pdf Size:148K _crhj

3DD128A8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD128F H5D 是 硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技术

4.8. 3dd128f_h6d.pdf Size:150K _crhj

3DD128A8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

4.9. 3dd128fh5d.pdf Size:143K _china

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H5D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

4.10. 3dd128y8d.pdf Size:155K _china

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 Y8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 Y8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 4 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 结构和

4.11. 3dd128fh3d.pdf Size:148K _china

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 命控制技

4.12. 3dd128fa7d.pdf Size:146K _china

3DD128A8D
3DD128A8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F A7D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F A7D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管,该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺,少 子 寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 制技术,

4.13. 3dd128fh8d.pdf Size:154K _china

3DD128A8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 命控制技

4.14. 3dd128fh6d.pdf Size:150K _china

3DD128A8D
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

Datasheet: 3DD102 , 3DD103 , 3DD104 , 3DD11 , 3DD12 , 3DD122 , 3DD127D3 , 3DD127D5 , 2N2219 , 3DD128FA7D , 3DD128FH3D , 3DD128FH5D , 3DD128FH6D , 3DD128FH8D , 3DD128Y8D , 3DD13001A1 , 3DD13001P .

 


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