All Transistors. 3DD128FH3D Datasheet

 

3DD128FH3D Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD128FH3D

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 40 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 350 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 3.5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 4 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

Package: TO251

3DD128FH3D Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD128FH3D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd128fh3d.pdf Size:148K _china

3DD128FH3D
3DD128FH3D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 命控制技

2.1. 3dd128fh5d.pdf Size:143K _china

3DD128FH3D
3DD128FH3D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H5D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

2.2. 3dd128fh8d.pdf Size:154K _china

3DD128FH3D
3DD128FH3D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 命控制技

2.3. 3dd128fh6d.pdf Size:150K _china

3DD128FH3D
3DD128FH3D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

Datasheet: 3DD104 , 3DD11 , 3DD12 , 3DD122 , 3DD127D3 , 3DD127D5 , 3DD128A8D , 3DD128FA7D , TIP41C , 3DD128FH5D , 3DD128FH6D , 3DD128FH8D , 3DD128Y8D , 3DD13001A1 , 3DD13001P , 3DD13001P1 , 3DD13002B1 .

 


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