3DD13001A1 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search
Type Designator: 3DD13001A1
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.8 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 600 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.25 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 5 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15
Noise Figure, dB: -
Package: TO92
3DD13001A1 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search
3DD13001A1 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd13001a1.pdf 
Size:182K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13001 A1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13001 A1 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 0.25 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 结
2.1. 3dd13001.pdf Size:529K _secos
3DD13001 0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications A D B CLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 3DD13001-A 3DD13001-B E C F Range 17~23 20~26 G H 1Base 1 1 1 3 2Collector 2 2 2 Emitter 3Emitter 3 3 3 J
2.2. 3dd13001.pdf Size:222K _lge
3DD13001(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. BASE 4.45 5.21 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4.32 2.92 5.33 MIN Features power switching applications 3.43 MIN 2.41 2.67 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) 3.18 2.03 4.19 Symbol Parameter Value Units 2.67 1.14 VCBO Collector -Base Voltage 600 V 1.40 2.03 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 2.67 VEBO Emi
2.3. 3dd13001 a1.pdf Size:182K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13001 A1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13001 A1 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 0.25 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 结
2.4. 3dd13001p1.pdf Size:182K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13001 P1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13001 P1 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 0.2 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.6 W 结
2.5. 3dd13001p.pdf Size:182K _china
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13001 P 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13001 P 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 0.17 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.6 W 结构
2.6. 3dd13001.pdf Size:590K _kexin
SMD Type Transistors NPN Transistors 3DD13001 ■ Features 1.70 0.1 ● Collector-emitter Voltage: V(BR)CEO=400V ● Collector Current: IC=0.2A 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 600 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current -
Datasheet: 3DD127D5 , 3DD128A8D , 3DD128FA7D , 3DD128FH3D , 3DD128FH5D , 3DD128FH6D , 3DD128FH8D , 3DD128Y8D , SS8050 , 3DD13001P , 3DD13001P1 , 3DD13002B1 , 3DD13002B1-7 , 3DD13002B1D , 3DD13002R1D , 3DD13002RUD , 3DD13003E6D .
