All Transistors. 3DD742A8 Datasheet

 

3DD742A8 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD742A8

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 70 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1050 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 12 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 48

Noise Figure, dB: -

Package: TO220AB

3DD742A8 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD742A8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd742a8.pdf Size:151K _china

3DD742A8
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD742 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD742 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 70 结构和少子

5.1. 3dd741_a8.pdf Size:152K _crhj

3DD742A8
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD741 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD741 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 60 结构和少

5.2. 3dd741a4.pdf Size:159K _china

3DD742A8
3DD742A8

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD741 A4 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD741 A4 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 30 结构和少

5.3. 3dd741a8.pdf Size:152K _china

3DD742A8
3DD742A8

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD741 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD741 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 60 结构和少

Datasheet: 3DD68 , 3DD69 , 3DD6E-T , 3DD7 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 2N60C , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 .

 


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BJT: PT9790 | PT9734 | PT9732 | PT9731 | PT9730 | PT23T9014 | PT23T9013 | PT23T8550 | PT23T8050 | PT23T5551 | PT23T5401 | PT23T3906 | PT23T3904 | PT23T2907A | PT23T2222A | PT236T30E2M | PT236T30E2H | PT236T30E2 | PQMD12 | PPT8N30E2 |