SKM200GB124D Todos los transistores

 

SKM200GB124D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM200GB124D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1380 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 290 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1600 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM200GB124D datasheet

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SKM200GB124D

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SKM200GB124D

SKM200GB12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 314 A Tj = 175 C Tc =80 C 242 A ICnom 200 A ICRM ICRM = 3xICnom 600 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 229 A Tj = 175 C SKM200GB12E4 Tc =80 C 172 A

 4.2. Size:379K  semikron
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SKM200GB124D

SKM200GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 314 A Tj = 175 C Tc =80 C 242 A ICnom 200 A ICRM ICRM = 3xICnom 600 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 229 A Tj = 175 C SKM200GB12T4 Tc =80 C

 4.3. Size:684K  semikron
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SKM200GB124D

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