SKM300GAL063D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM300GAL063D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM300GAL063D datasheet
skm300gal12t4.pdf
SKM300GAL12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 422 A Tj = 175 C Tc =80 C 324 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GAL12T4 Tc =80
skm300gal12e4.pdf
SKM300GAL12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 422 A Tj = 175 C Tc =80 C 324 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GAL12E4 Tc =80 C 264
Otros transistores... SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , SKM300GA173D , BT40T60ANF , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SKM300GB123D , SKM300GB124D .
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