Справочник IGBT. SKM300GAL063D

 

SKM300GAL063D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM300GAL063D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM300GAL063D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  semikron
 skm300gal063d.pdf pdf_icon

SKM300GAL063D

 5.1. Size:414K  semikron
 skm300gal12t4.pdf pdf_icon

SKM300GAL063D

SKM300GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GAL12T4Tc =80

 5.2. Size:653K  semikron
 skm300gal123d.pdf pdf_icon

SKM300GAL063D

 5.3. Size:413K  semikron
 skm300gal12e4.pdf pdf_icon

SKM300GAL063D

SKM300GAL12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GAL12E4Tc =80C 264

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , SKM300GA123D , SKM300GA173D , RJP63F3DPP-M0 , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SKM300GB123D , SKM300GB124D .

History: CM2400HC-34H | 2PG006

 

 
Back to Top

 


 
.