SKM300GAL123D Todos los transistores

 

SKM300GAL123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM300GAL123D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2500 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 2000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM300GAL123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  semikron
 skm300gal123d.pdf pdf_icon

SKM300GAL123D

 3.1. Size:414K  semikron
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SKM300GAL123D

SKM300GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GAL12T4Tc =80

 3.2. Size:413K  semikron
 skm300gal12e4.pdf pdf_icon

SKM300GAL123D

SKM300GAL12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 422 ATj = 175 CTc =80C 324 AICnom 300 AICRM ICRM = 3xICnom 900 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 353 ATj = 175 CSKM300GAL12E4Tc =80C 264

 5.1. Size:660K  semikron
 skm300gal063d.pdf pdf_icon

SKM300GAL123D

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History: AOTF5B65M1 | IRG4PC40FDPBF | MGB15N40CL | BRG10N120D

 

 
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