SKM400GA173D Todos los transistores

 

SKM400GA173D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM400GA173D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 440 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3500 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM400GA173D datasheet

 ..1. Size:548K  semikron
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SKM400GA173D

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SKM400GA173D

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Low Loss IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1700 V VCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 400 GA 174 D IC; ICN Tcase = 25/75 C 540 / 400 A ICM Tcase = 25/75 C; tp = 1 ms 1080 / 800 A VGES 20 V Preliminary Data Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 2780 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 4) 3400 V humidity DIN 40 04

 5.1. Size:539K  semikron
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SKM400GA173D

 5.2. Size:627K  semikron
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SKM400GA173D

SKM400GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 616 A Tj = 175 C Tc =80 C 474 A ICnom 400 A ICRM ICRM = 3xICnom 1200 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM400GA12E4 Tc =8

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History: MG300N1US1 | SKM400GA124D | 6MBP10VAA120-50 | 6MBP150VEA120-50 | DGTD120T40S1PT | SKM200GB123D | SKM300GB174D

 

 

 

 

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