SKM400GB062D Todos los transistores

 

SKM400GB062D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM400GB062D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 475 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2500 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM400GB062D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  semikron
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SKM400GB062D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 400 GA 062 D *)IC Tcase = 25/60 C 475 / 400 ASKM 400 GB 062 DICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 950 / 800 ASKM 400 GAL 062 D 6)VGES 20 VSKM 400 GAR 062 D 6)Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1400 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 m

 4.1. Size:847K  semikron
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SKM400GB062D

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SKM400GB062D

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SKM400GB062D

SKM400GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 618 ATj = 175 CTc =80C 475 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GB12T4Tc =80C

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History: IXGX12N90C | SPT25N120F1A1 | IXXK110N65B4H1 | MMG200D170B6EN | VS-GB300AH120N | 2MBI450VN-120-50 | MDI400-12E4

 

 
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