SKM75GB124D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM75GB124D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 460 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM75GB124D - IGBT
SKM75GB124D Datasheet (PDF)
skm75gb12t4.pdf
SKM75GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 115 ATj = 175 CTc =80C 88 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12T4Tc =80C 73 A
skm75gb12v.pdf
SKM75GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 114 ATj = 175 CTc =80C 87 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12VTc =80C 73 AIFnom 75 A
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Liste
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