SKM75GB124D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM75GB124D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 460 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM75GB124D datasheet
skm75gb12t4.pdf
SKM75GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 115 A Tj = 175 C Tc =80 C 88 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12T4 Tc =80 C 73 A
skm75gb12v.pdf
SKM75GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 114 A Tj = 175 C Tc =80 C 87 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12V Tc =80 C 73 A IFnom 75 A
Otros transistores... SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , SKM75GAL063D , SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , FGH75T65UPD , SKM75GB173D , SKM75GD123D , SKM75GD124D , SKM75GDL123D , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 .
History: AUIRGP4062D-E
History: AUIRGP4062D-E
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Liste
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