SKM75GD123D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM75GD123D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM75GD123D IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
SKM75GD123D datasheet
skm75gd124d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Low Loss IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 75 GD 124 D IC Tcase = 25/60 C 90 / 75 A ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 180 / 150 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 390 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 40 040 Class F climate DIN IEC 68 T
Otros transistores... SKM50GH063DL , SKM75GAL063D , SKM75GAL123D , BRG60N65D , SKM75GB063D , SKM75GB123D , SKM75GB124D , SKM75GB173D , TGAN60N60F2DS , SKM75GD124D , SKM75GDL123D , SM2G100US120 , SM2G100US60 , SM2G150US120 , SM2G150US60 , SM2G200US120 , SM2G200US60 .
History: SKM75GB173D | SM2G100US60 | MG50Q6ES40
History: SKM75GB173D | SM2G100US60 | MG50Q6ES40
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018