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SKM75GD123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM75GD123D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM75GD123D Datasheet (PDF)

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SKM75GD123D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 75 GD 124 DIC Tcase = 25/60 C 90 / 75 AICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 180 / 150 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 390 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fclimate DIN IEC 68 T

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History: BSM50GD120DN2 | IXSA16N60 | BSM50GB60DLC | SKM195GAL062D | IXXH80N65B4 | IXGB75N60BD1 | SIF30N65G21F

 

 
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