SMBH1G200US120 Todos los transistores

SMBH1G200US120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMBH1G200US120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS

Encapsulados: 7PM-EA

- Selección ⓘ de transistores por parámetros