SMBH1G200US120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMBH1G200US120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Paquete / Cubierta: 7PM-EA
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SMBH1G200US120 Datasheet (PDF)
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