SME6G10US120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SME6G10US120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Encapsulados: 17PM-BA
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SME6G10US120 datasheet
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Otros transistores... SMC7G15US120 , SMC7G15US60 , SMC7G20US120 , SMC7G20US60 , SMC7G25US120 , SMC7G30US60 , SMC7G50US60 , SMC7G5US120 , GT30J127 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 .
History: IXSH40N60A | RGTH60TS65DGC13 | SKM195GB124DN
History: IXSH40N60A | RGTH60TS65DGC13 | SKM195GB124DN
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