SME6G20US60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SME6G20US60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 84 nS
Paquete / Cubierta: 17PM-CA
- Selección de transistores por parámetros
SME6G20US60 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... SMC7G30US60 , SMC7G50US60 , SMC7G5US120 , SME6G10US120 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , RJP30H1DPD , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , SNG201017 , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 .
History: RJH60F6DPQ-A0 | SSG55N60M | MMG50A120B7HN | OST75N65HSXF | CPV364M4KPBF | OST80N65HMF | IRG4PC30U
History: RJH60F6DPQ-A0 | SSG55N60M | MMG50A120B7HN | OST75N65HSXF | CPV364M4KPBF | OST80N65HMF | IRG4PC30U



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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