SNG201017 Todos los transistores

 

SNG201017 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNG201017

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 500 nS

Encapsulados: TO254

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SNG201017 datasheet

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Otros transistores... SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , FGA60N65SMD , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L .

History: IXXH50N60C3 | MPBW30N65E | MPBQ75N120E | JT075N120F2MA1E | BG100B12UX3-I | AOK50B65H1 | ISL9V3036S3S

 

 

 

 

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