SNG201017 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNG201017
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 17 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 500 nS
Paquete / Cubierta: TO254
- Selección de transistores por parámetros
SNG201017 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , GT30F126 , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L .
History: SGH25N120RUF | RJH60D0DPM | APT25GT120BRG | AOD5B65M1 | MSG40T65FL | CRG40T120AK3S | FGW50N60HC
History: SGH25N120RUF | RJH60D0DPM | APT25GT120BRG | AOD5B65M1 | MSG40T65FL | CRG40T120AK3S | FGW50N60HC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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