SNG201017 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNG201017
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 17 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 500 nS
Paquete / Cubierta: TO254
Búsqueda de reemplazo de SNG201017 - IGBT
SNG201017 Datasheet (PDF)
No PDF!
Otros transistores... SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , IKW75N60T , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2