STGB20NB32LZ Todos los transistores

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STGB20NB32LZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGB20NB32LZ

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150W

Tensión colector-emisor (Vce): 380V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 2300

Capacitancia de salida (Cc), pF: 2300pF

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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STGB20NB32LZ Datasheet (PDF)

1.1. stgb20nb37lz.pdf Size:382K _st

STGB20NB32LZ
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STGB20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D?PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB37LZ CLAMPED < 2.0 V 20 A POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN LOW THRESHOLD VOLTAGE LOW ON-VOLTAGE DROP 3 LOW GATE CHARGE 1 HIGH CURRENT CAPABILITY HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE ADD SUFFIX T4 FOR ORDERING IN TAPE & D?PAK REEL DESCRIPTION INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM Usin

1.2. stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1.pdf Size:501K _st

STGB20NB32LZ
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STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED < 2.0 V 20 A STGB20NB32LZ-1 CLAMPED < 2.0 V 20 A POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN 3 LOW THRESHOLD VOLTAGE 3 1 2 LOW ON-VOLTAGE DROP 1 HIGH CURRENT CAPABILITY D2PAK I2PAK HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE DESCRIPTION Using the latest high v

1.3. stgb20nb32lz(-1).pdf Size:462K _st

STGB20NB32LZ
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STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED < 2.0 V 20 A STGB20NB32LZ-1 CLAMPED < 2.0 V 20 A POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN 3 LOW THRESHOLD VOLTAGE 3 1 2 LOW ON-VOLTAGE DROP 1 HIGH CURRENT CAPABILITY D2PAK I2PAK HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE SURFACE-MOUNTING D?PAK (TO-263) PO

1.4. stgb20nb37lz.pdf Size:284K _igbt

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STGB20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D²PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB37LZ CLAMPED < 2.0 V 20 A POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN LOW THRESHOLD VOLTAGE LOW ON-VOLTAGE DROP 3 LOW GATE CHARGE 1 HIGH CURRENT CAPABILITY HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE & D²PAK REEL DESCRIPTION INTERNAL SCHEMATIC DI

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