STGB20NB32LZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB20NB32LZ
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Código de marcado: GB20NB32LZ
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 380 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.2 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2300 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2300pF pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 51 nC
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STGB20NB32LZ Datasheet (PDF)
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STGB20NC60V - STGP20NC60VSTGW20NC60V30 A - 600 V - very fast IGBTFeatures High frequency operation up to 50 kHz Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)3 High current capability 3221 1ApplicationsTO-247 TO-22031 High frequency inverters UPS, motor drivers DPAK HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologi
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