STGB20NB32LZ Todos los transistores

 

STGB20NB32LZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGB20NB32LZ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 380 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2300 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2300pF pF
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGB20NB32LZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  st
 stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1 .pdf pdf_icon

STGB20NB32LZ

STGB20NB32LZSTGB20NB32LZ-1N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB32LZ CLAMPED

 ..2. Size:501K  st
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STGB20NB32LZ

STGB20NB32LZSTGB20NB32LZ-1N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB32LZ CLAMPED

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STGB20NB32LZ

STGB20NB37LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB37LZ CLAMPED

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STGB20NB32LZ

STGB20NB41LZN-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB20NB41LZ CLAMPED

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History: HGTG27N60C3DR | APT100GT120JU2 | APT44GA60S | IRG6I330U | AOD5B65M1

 

 
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