STGB20NB32LZ - Аналоги. Основные параметры
Наименование: STGB20NB32LZ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 380 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2300 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2300pF pF
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STGB20NB32LZ
Технические параметры STGB20NB32LZ
stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1 .pdf
STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED
stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1.pdf
STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED
stgb20nb37lz.pdf
STGB20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB37LZ CLAMPED
stgb20nb41lz.pdf
STGB20NB41LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB41LZ CLAMPED
Другие IGBT... SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , IRGP4063D , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet







