STGB20NB37LZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGB20NB37LZ 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 430 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2300 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2300pF pF

Encapsulados: D2PAK

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Búsqueda de reemplazo de STGB20NB37LZ IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STGB20NB37LZ datasheet

..1. Size:284K st
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STGB20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB37LZ CLAMPED

5.1. Size:462K st
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STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED

5.2. Size:501K st
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STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED

6.1. Size:263K st
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STGB20NB41LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB41LZ CLAMPED