STGB20NB37LZ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGB20NB37LZ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Маркировка: GB20NB37LZ
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2300 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2300pF pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 51 nC
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам