STGB20NB37LZ - аналоги и описание IGBT

 

STGB20NB37LZ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGB20NB37LZ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2300 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2300pF pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STGB20NB37LZ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB20NB37LZ даташит

 ..1. Size:284K  st
 stgb20nb37lz.pdf pdf_icon

STGB20NB37LZ

STGB20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB37LZ CLAMPED

 5.1. Size:462K  st
 stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1 .pdf pdf_icon

STGB20NB37LZ

STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED

 5.2. Size:501K  st
 stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1.pdf pdf_icon

STGB20NB37LZ

STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED

 6.1. Size:263K  st
 stgb20nb41lz.pdf pdf_icon

STGB20NB37LZ

STGB20NB41LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - D PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB41LZ CLAMPED

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , MBQ50T65FDSC , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.