STGB3NB60HD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGB3NB60HD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 235pF pF

Encapsulados: D2PAK

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STGB3NB60HD datasheet

 5.1. Size:339K  st
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STGB3NB60HD

STGB3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) Ic STGB3NB60SD 600 V

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STGB3NB60HD

STGB3NC120HD STGF3NC120HD, STGP3NC120HD 7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode Features TAB High voltage capability High speed Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode 3 3 2 2 1 1 Applications TO-220FP TO-220 Home appliance TAB Lighting 3 1 Description D PAK This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between l

 8.2. Size:757K  st
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STGB3NB60HD

STGB3NC120HD STGF3NC120HD, STGP3NC120HD 7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode Features TAB High voltage capability High speed Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode 3 3 2 2 1 1 Applications TO-220FP TO-220 Home appliance TAB Lighting 3 1 Description D PAK This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between l

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