STGB3NB60HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB3NB60HD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 235pF pF
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STGB3NB60HD - IGBT
STGB3NB60HD Datasheet (PDF)
Otros transistores... SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , CRG60T60AN3H , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2