Справочник IGBT. STGB3NB60HD

 

STGB3NB60HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGB3NB60HD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235pF pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STGB3NB60HD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB3NB60HD Datasheet (PDF)

 5.1. Size:339K  st
stgb3nb60sd.pdfpdf_icon

STGB3NB60HD

STGB3NB60SDN-CHANNEL 3A - 600V D2PAKPower MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) IcSTGB3NB60SD 600 V

 8.1. Size:763K  st
stgb3nc120hd stgf3nc120hd stgp3nc120hd.pdfpdf_icon

STGB3NB60HD

STGB3NC120HDSTGF3NC120HD, STGP3NC120HD7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diodeFeaturesTAB High voltage capability High speed Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode332211Applications TO-220FPTO-220 Home applianceTAB Lighting31DescriptionDPAKThis high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between l

 8.2. Size:757K  st
stgb3nc120hd.pdfpdf_icon

STGB3NB60HD

STGB3NC120HDSTGF3NC120HD, STGP3NC120HD7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diodeFeaturesTAB High voltage capability High speed Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode332211Applications TO-220FPTO-220 Home applianceTAB Lighting31DescriptionDPAKThis high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between l

Другие IGBT... SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , IRG7R313U , STGB7NB60HD , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H .

History: RJH60F7ADPK

 

 
Back to Top

 


 
.