STGP7NB60HDFP IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGP7NB60HDFP
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 560pF pF
Encapsulados: TO220F
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STGP7NB60HDFP datasheet
stgp7nb60hd.pdf
STGP7NB60HD STGP7NB60HDFP N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP7NB60HD 600 V
stgp7nb60hf.pdf
STGP7NB60HD STGP7NB60HDFP N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP7NB60HD 600 V
stgp7nb60h.pdf
STGP7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP7NB60H 600 V
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History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2
History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2
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