STGP7NB60HDFP Todos los transistores

 

STGP7NB60HDFP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGP7NB60HDFP
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 560pF pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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STGP7NB60HDFP Datasheet (PDF)

 3.1. Size:382K  st
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STGP7NB60HDFP

STGP7NB60HDSTGP7NB60HDFPN-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FPPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP7NB60HD 600 V

 4.1. Size:108K  st
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STGP7NB60HDFP

STGP7NB60HDSTGP7NB60HDFP N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FPPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP7NB60HD 600 V

 4.2. Size:318K  st
 stgp7nb60h.pdf pdf_icon

STGP7NB60HDFP

STGP7NB60HN-CHANNEL 7A - 600V - TO-220PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP7NB60H 600 V

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History: APT13GP120BSC | SGP02N60

 

 
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